Synaptic Behavior in SnSe2 Field-Effect Transistors Induced by Surface Oxide and Trap Dynamics

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DOI:10.1002/aelm.202500734

作者： Andrea Sessa, Sebastiano De Stefano, Ofelia Durante, Aniello Pelella, Martino Aldrigo, Catalin Parvulescu, Adrian Dinescu, Chia-Nung Kuo, Chin Shan Lue, Tsotne Dadiani, Gianluca D'Olimpio, Enver Faell

文献类型：期刊论文

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