Engineered interface states and optical absorption of β-Ga2O3/4H-SiC heterojunctions by irradiation-induced oxygen defects from first-principles

已完结

15 由用户65UwKM 发布于 2026-10-30 13:38

DOI:10.1039/D3TC04768G

作者： Xiaoning Zhang, Xi Liang, Haoyu Dong, Jia-Yue Yang and Linhua Liu

文献类型：期刊论文

补充材料： 只需要正文

文献链接： https://doi.org/10.1039/D3TC04768G

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